二维量子微纳电子器件与MRAM集成电路--华中科技大学常海欣教授来我院讲学

二维量子微纳电子器件与MRAM集成电路

--华中科技大学常海欣教授来我院讲学

1月8日上午，华中科技大学材料科学与工程学院教授、博士生导师常海欣应邀来到365英国上市集团开展学术交流并做专题报告。常海欣教授是国家海外高层次人才计划特聘专家，2020-2024年连续5年 Elsevier 爱思唯尔中国高被引学者，3次入选全球前2%顶尖科学家(World’s Top 2% Scientists,2020,2021,2024)，国际先进材料联合会会士IAAM Fellow。主要研究领域为MRAM集成电路与存储芯片（国家卡脖子集成电路技术）、二维电子信息与电子器件、量子信息与微纳电子器件。在Nature子刊（4）/Cell子刊（5）, Adv. Mater., JACS, Angew Chem. Inter. Ed.等发表相关论文150余篇，引用10000余次，ESI热点论文与高被引论文10余篇，相关工作得到诺贝尔物理奖得主、院士等的高度认可与正面评价引用。获国家海外高层次人才计划、科技部973计划、国家重点研发计划、国家自然科学基金等资助。报告在365英国上市集团崇业楼B301会议室举行，主题为“二维量子微纳电子器件与MRAM集成电路”，报告由副院长谭誉宇主持。365英国上市集团院长王国富、副院长杨斌以及学院师生代表100余人参加了报告会。

会上，常海欣教授围绕二维量子微纳材料与器件以及MRAM集成电路等主题就其研究的背景、现状、前沿进展以及未来的发展方向做了详细的解读，在座的老师同学们也紧扣主题提出自己的困惑与想法，就目前MRAM产业化存在的问题等进行了深入的探讨和交流。此外，常教授也分享自己的科研经历，总结起来可以概括为“创新、交叉、坚持”，鼓励同学们不畏艰难，勇攀科学高峰。

伴随着会议室中热烈的掌声，本次报告会圆满结束，出席的老师与学生们都从中收益颇多，不仅接触了科学前沿，拓展了学术视野，同时，也增强了科研意识，对今后科研方向的发展发挥了重要启示作用。

撰稿：康申宜 陈怡宁

摄影：余胤璟